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FQU5N40TU
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Trans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube
Date Sheet
在庫數 9250
- 1+： $0.73960
- 10+： $0.69774
- 100+： $0.65824
- 500+： $0.62098
- 1000+： $0.58583
小計金額 $0.73960
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 45W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：400V
- Current Rating：3.4A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.6 Ω @ 1.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：460pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 10V
- Rise Time：60ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：30 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：400V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：290 mJ
- Height：6.1mm
- Length：6.6mm
- Width：2.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9250
- 1+： $0.73960
- 10+： $0.69774
- 100+： $0.65824
- 500+： $0.62098
- 1000+： $0.58583
小計金額 $0.73960
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