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STD11NM65N
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Date Sheet
在庫數 775896
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ II
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD11
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：455m Ω @ 5.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：800pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：29nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Drain-source On Resistance-Max：0.455Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- DS Breakdown Voltage-Min：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：147 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 775896
小計金額 $0.00000
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