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画像はあくまで参考です。
FDPF55N06
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
Date Sheet
在庫數 5000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：48W Tc
- Turn Off Delay Time：70 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：48W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：22m Ω @ 27.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1510pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37nC @ 10V
- Rise Time：130ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：95 ns
- Continuous Drain Current (ID)：55A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.022Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：220A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：480 mJ
- Height：16.07mm
- Length：10.36mm
- Width：4.9mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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