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画像はあくまで参考です。
FQPF65N06
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F
Date Sheet
在庫數 442
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：56W Tc
- Turn Off Delay Time：90 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Current Rating：40A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：56W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16m Ω @ 20A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2410pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：65nC @ 10V
- Rise Time：160ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：105 ns
- Continuous Drain Current (ID)：40A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Dual Supply Voltage：60V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：645 mJ
- Nominal Vgs：4 V
- Height：9.19mm
- Length：10.16mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 442
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