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画像はあくまで参考です。
FCH47N60N
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
Date Sheet
在庫數 10
- 1+： $4.95898
- 10+： $4.67828
- 100+： $4.41347
- 500+： $4.16365
- 1000+： $3.92797
小計金額 $4.95898
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：15 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.39g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：47A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：368W Tc
- Turn Off Delay Time：135 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SupreMOS™
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：FCH47N60
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：368W
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：62m Ω @ 23.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6700pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：151nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：47A
- Threshold Voltage：2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.062Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：21mm
- Length：15.95mm
- Width：5.03mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 10
- 1+： $4.95898
- 10+： $4.67828
- 100+： $4.41347
- 500+： $4.16365
- 1000+： $3.92797
小計金額 $4.95898
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