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STW47NM60ND
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
Date Sheet
在庫數 9000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：255W Tc
- Turn Off Delay Time：120 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：88MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Base Part Number：STW47N
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：255W
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：88m Ω @ 17.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4200pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：120nC @ 10V
- Rise Time：40ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：50 ns
- Continuous Drain Current (ID)：35A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9000
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