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画像はあくまで参考です。
STW48NM60N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
Date Sheet
在庫數 18000
- 1+： $8.39192
- 10+： $7.91690
- 100+： $7.46878
- 500+： $7.04601
- 1000+： $6.64718
小計金額 $8.39192
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：214 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：44A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：330W Tc
- Series：MDmesh™ II
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：70MOhm
- Base Part Number：STW48N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：255W
- Turn On Delay Time：99 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：70m Ω @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4285pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：124nC @ 10V
- Rise Time：18ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：25.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：44A
- Threshold Voltage：3.2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：457 mJ
- Width：5.15mm
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 18000
- 1+： $8.39192
- 10+： $7.91690
- 100+： $7.46878
- 500+： $7.04601
- 1000+： $6.64718
小計金額 $8.39192
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