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STP20NM60FD
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 12000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：192W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Series：FDmesh™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：20A
- Base Part Number：STP20N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：192W
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：290m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1300pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.29Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：700 mJ
- Width：4.6mm
- Length：10.4mm
- Height：9.15mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 12000
小計金額 $0.00000
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