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画像はあくまで参考です。
FQP8N80C
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Date Sheet
在庫數 16300
- 1+： $3.22798
- 10+： $3.04526
- 100+： $2.87289
- 500+： $2.71027
- 1000+： $2.55686
小計金額 $3.22798
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：178W Tc
- Turn Off Delay Time：65 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：800V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：8A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：178W
- Turn On Delay Time：40 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.55 Ω @ 4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2050pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
- Rise Time：110ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：70 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：850 mJ
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 16300
- 1+： $3.22798
- 10+： $3.04526
- 100+： $2.87289
- 500+： $2.71027
- 1000+： $2.55686
小計金額 $3.22798
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