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画像はあくまで参考です。
FQP6N90C
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Date Sheet
在庫數 38000
- 1+： $2.60363
- 10+： $2.45625
- 100+： $2.31722
- 500+： $2.18606
- 1000+： $2.06232
小計金額 $2.60363
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：167W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Termination：Through Hole
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.3Ohm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：900V
- Current Rating：6A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：167W
- Turn On Delay Time：35 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.3 Ω @ 3A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1770pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Rise Time：90ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：60 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：900V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：24A
- Dual Supply Voltage：900V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：650 mJ
- Nominal Vgs：5 V
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 38000
- 1+： $2.60363
- 10+： $2.45625
- 100+： $2.31722
- 500+： $2.18606
- 1000+： $2.06232
小計金額 $2.60363
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