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STP28N65M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP28N65M2
Date Sheet
在庫數 20
- 1+： $3.57905
- 10+： $3.37646
- 100+： $3.18534
- 500+： $3.00504
- 1000+： $2.83494
小計金額 $3.57905
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Turn Off Delay Time：59 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ M2
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STP28N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：170W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：13.4 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：180m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1440pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：760 mJ
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：19.68mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20
- 1+： $3.57905
- 10+： $3.37646
- 100+： $3.18534
- 500+： $3.00504
- 1000+： $2.83494
小計金額 $3.57905
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