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STP20N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
Date Sheet
在庫數 3450
- 1+： $3.19128
- 10+： $3.01064
- 100+： $2.84023
- 500+： $2.67946
- 1000+： $2.52779
小計金額 $3.19128
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：130W Tc
- Turn Off Delay Time：43 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：168MOhm
- Base Part Number：STP20N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：130W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：43 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1345pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
- Rise Time：7.5ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：7.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：18A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：72A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：270 mJ
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3450
- 1+： $3.19128
- 10+： $3.01064
- 100+： $2.84023
- 500+： $2.67946
- 1000+： $2.52779
小計金額 $3.19128
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