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STP40N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $4.81417
- 10+： $4.54167
- 100+： $4.28460
- 500+： $4.04207
- 1000+： $3.81328
小計金額 $4.81417
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Weight：329.988449mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：34A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：96 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STP40N
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：250W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：88m Ω @ 17A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2500pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：57nC @ 10V
- Rise Time：13.5ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：11 ns
- Continuous Drain Current (ID)：34A
- Threshold Voltage：2V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.088Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：500 mJ
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：19.68mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20000
- 1+： $4.81417
- 10+： $4.54167
- 100+： $4.28460
- 500+： $4.04207
- 1000+： $3.81328
小計金額 $4.81417
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