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画像はあくまで参考です。
STP11NM60
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 850
- 1+： $4.42549
- 10+： $4.17500
- 100+： $3.93867
- 500+： $3.71573
- 1000+： $3.50541
小計金額 $4.42549
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：160W Tc
- Turn Off Delay Time：6 ns
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：450mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：11A
- Base Part Number：STP11N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：160W
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：450m Ω @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1000pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：11 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- Height：6.35mm
- Length：31.75mm
- Width：12.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 850
- 1+： $4.42549
- 10+： $4.17500
- 100+： $3.93867
- 500+： $3.71573
- 1000+： $3.50541
小計金額 $4.42549
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