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画像はあくまで参考です。
STP12NM50
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $4.63611
- 10+： $4.37369
- 100+： $4.12612
- 500+： $3.89257
- 1000+： $3.67223
小計金額 $4.63611
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：160W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 50μA
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：350mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：12A
- Base Part Number：STP12
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：160W
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：350m Ω @ 6A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1000pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：39nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：±30V
- Continuous Drain Current (ID)：12A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：48A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：19.68mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2000
- 1+： $4.63611
- 10+： $4.37369
- 100+： $4.12612
- 500+： $3.89257
- 1000+： $3.67223
小計金額 $4.63611
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