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STW6N95K5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $2.92666
- 10+： $2.76100
- 100+： $2.60472
- 500+： $2.45728
- 1000+： $2.31819
小計金額 $2.92666
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：90W Tc
- Turn Off Delay Time：33 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH5™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：1.25Ohm
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STW6N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：90W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.25 Ω @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：450pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：21 ns
- Continuous Drain Current (ID)：9A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain to Source Breakdown Voltage：950V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：36A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：90 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20000
- 1+： $2.92666
- 10+： $2.76100
- 100+： $2.60472
- 500+： $2.45728
- 1000+： $2.31819
小計金額 $2.92666
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