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画像はあくまで参考です。
FQH8N100C
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- N-channel Power Mosfet, Qfet®, 1000 V, 8.0 A, 1.45 ?, TO-247
Date Sheet
在庫數 450
- 1+： $4.57979
- 10+： $4.32055
- 100+： $4.07599
- 500+： $3.84528
- 1000+： $3.62762
小計金額 $4.57979
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：6.39g
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：225W Tc
- Turn Off Delay Time：122 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：225W
- Turn On Delay Time：50 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.45 Ω @ 4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3220pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：70nC @ 10V
- Rise Time：95ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：80 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8A
- JEDEC-95 Code：TO-247AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Drain to Source Breakdown Voltage：1kV
- Avalanche Energy Rating (Eas)：850 mJ
- Width：4.82mm
- Height：20.82mm
- Length：15.87mm
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 450
- 1+： $4.57979
- 10+： $4.32055
- 100+： $4.07599
- 500+： $3.84528
- 1000+： $3.62762
小計金額 $4.57979
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