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画像はあくまで参考です。
STN3P6F6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET P-CH 60V SOT-223
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $1.23886
- 10+： $1.16874
- 100+： $1.10258
- 500+： $1.04017
- 1000+： $0.98129
小計金額 $1.23886
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：20 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：14 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.6W Tc
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：130MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STN3P
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.6W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：6.4 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 1.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：340pF @ 48V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：6.4nC @ 10V
- Rise Time：5.3ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：3.7 ns
- Continuous Drain Current (ID)：-3A
- Threshold Voltage：-4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-60V
- Max Junction Temperature (Tj)：175°C
- Height：1.9mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20000
- 1+： $1.23886
- 10+： $1.16874
- 100+： $1.10258
- 500+： $1.04017
- 1000+： $0.98129
小計金額 $1.23886
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