NDT014L

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-261-4, TO-261AA
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Date Sheet

在庫數 22450

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10+： $1.59291
100+： $1.50274
500+： $1.41768
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小計金額 $1.68848

仕様よくある質問

Factory Lead Time：8 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins：4
Weight：188mg
Transistor Element Material：SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：3W Ta
Turn Off Delay Time：15 ns
Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Published：1998
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：4
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：160mOhm
Voltage - Rated DC：60V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Current Rating：2.8A
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：3W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：6 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：214pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5nC @ 4.5V
Rise Time：14ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：10 ns
Continuous Drain Current (ID)：2.8A
Threshold Voltage：1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：2.7A
Drain to Source Breakdown Voltage：60V
Dual Supply Voltage：60V
Nominal Vgs：1.5 V
Width：3.7mm
Height：1.7mm
Length：6.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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