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FCD5N60TM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $1.85478
- 10+： $1.74979
- 100+： $1.65075
- 500+： $1.55731
- 1000+： $1.46916
小計金額 $1.85478
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：54W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：SuperFET™
- Published：2014
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：950MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：4.6A
- Base Part Number：FCD5N60
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：54W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：950m Ω @ 2.3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：600pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16nC @ 10V
- Rise Time：40ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.6A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $1.85478
- 10+： $1.74979
- 100+： $1.65075
- 500+： $1.55731
- 1000+： $1.46916
小計金額 $1.85478
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