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画像はあくまで参考です。
FDD26AN06A0-F085
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
Date Sheet
在庫數 1760
- 1+： $1.26188
- 10+： $1.19045
- 100+： $1.12307
- 500+： $1.05950
- 1000+： $0.99952
小計金額 $1.26188
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：27 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Ta 36A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：75W Tc
- Turn Off Delay Time：23 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：75W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：26m Ω @ 36A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：800pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 10V
- Rise Time：72ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：36A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：7A
- Drain-source On Resistance-Max：0.026Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1760
- 1+： $1.26188
- 10+： $1.19045
- 100+： $1.12307
- 500+： $1.05950
- 1000+： $0.99952
小計金額 $1.26188
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