日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STD6N65M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
在庫數 7500
- 1+： $1.35304
- 10+： $1.27645
- 100+： $1.20420
- 500+： $1.13604
- 1000+： $1.07174
小計金額 $1.35304
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：3.949996g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：6.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：MDmesh™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD6N
- Number of Channels：1
- Turn On Delay Time：19 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.35 Ω @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：226pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：9.8nC @ 10V
- Rise Time：7ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 7500
- 1+： $1.35304
- 10+： $1.27645
- 100+： $1.20420
- 500+： $1.13604
- 1000+： $1.07174
小計金額 $1.35304
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
