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STB76NF75
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Date Sheet
在庫數 8410
- 1+： $1.34462
- 10+： $1.26851
- 100+： $1.19671
- 500+： $1.12897
- 1000+： $1.06506
小計金額 $1.34462
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：66 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Base Part Number：STB76N
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：11m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：160nC @ 10V
- Rise Time：100ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：30 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.011Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：75V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：700 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 8410
- 1+： $1.34462
- 10+： $1.26851
- 100+： $1.19671
- 500+： $1.12897
- 1000+： $1.06506
小計金額 $1.34462
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