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画像はあくまで参考です。
FDBL0110N60
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerSFN
- TAPE REEL / TO- , MV7, 60V
Date Sheet
在庫數 19000
- 1+： $5.98097
- 10+： $5.64243
- 100+： $5.32305
- 500+： $5.02174
- 1000+： $4.73749
小計金額 $5.98097
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerSFN
- Number of Pins：8
- Weight：850.0521mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：429W Tj
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSSO-F2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.1m Ω @ 80A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：13650pF @ 30V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：220nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：300A
- JEDEC-95 Code：MO-299A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0011Ohm
- DS Breakdown Voltage-Min：60V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：1167 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 19000
- 1+： $5.98097
- 10+： $5.64243
- 100+： $5.32305
- 500+： $5.02174
- 1000+： $4.73749
小計金額 $5.98097
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