日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STB40N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET POWER MOSFET
Date Sheet
在庫數 63259
- 1+： $4.73700
- 10+： $4.46887
- 100+： $4.21591
- 500+： $3.97727
- 1000+： $3.75215
小計金額 $4.73700
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Weight：3.949996g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：34A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：96 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STB40N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：88m Ω @ 17A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2500pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：57nC @ 10V
- Rise Time：13.5ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：11 ns
- Continuous Drain Current (ID)：34A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.088Ohm
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：500 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 63259
- 1+： $4.73700
- 10+： $4.46887
- 100+： $4.21591
- 500+： $3.97727
- 1000+： $3.75215
小計金額 $4.73700
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
