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STB28N65M2
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Date Sheet
在庫數 6320
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Turn Off Delay Time：59 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：MDmesh™ M2
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STB28N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：13.4 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：180m Ω @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1440pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.18Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- DS Breakdown Voltage-Min：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：760 mJ
- Height：4.6mm
- Length：10.4mm
- Width：9.35mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 6320
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