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画像はあくまで参考です。
STS26N3LLH6
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 30000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：20 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：26A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.7W Ta
- Turn Off Delay Time：75 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：4.4mOhm
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STS26
- Pin Count：8
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.7W
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.4m Ω @ 13A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4040pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 4.5V
- Rise Time：18ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：46 ns
- Continuous Drain Current (ID)：26A
- Threshold Voltage：1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：525 mJ
- Nominal Vgs：1 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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小計金額 $0.00000
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