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画像はあくまで参考です。
RF4E080BNTR
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ROHM Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerUDFN
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Date Sheet
在庫數 2193
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：20 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerUDFN
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Ta
- Turn Off Delay Time：33 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2013
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：NO LEAD
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- JESD-30 Code：S-PDSO-N6
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：17.6m Ω @ 8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：660pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：14.5nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：7 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0246Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：32A
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2193
小計金額 $0.00000
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