STF10NM60N

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
STMICROELECTRONICS STF10NM60N Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet

在庫數 1021

1+： $2.81420
10+： $2.65491
100+： $2.50463
500+： $2.36286
1000+： $2.22911

小計金額 $2.81420

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time：16 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3 Full Pack
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：25W Tc
Turn Off Delay Time：32 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tube
Series：MDmesh™ II
JESD-609 Code：e3
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Base Part Number：STF10N
Pin Count：3
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：25W
Case Connection：ISOLATED
Turn On Delay Time：10 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：550m Ω @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：540pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：19nC @ 10V
Rise Time：12ns
Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
Vgs (Max)：±25V
Fall Time (Typ)：15 ns
Continuous Drain Current (ID)：10A
Threshold Voltage：3V
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
Drain-source On Resistance-Max：0.55Ohm
DS Breakdown Voltage-Min：600V
Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
Height：16.4mm
Length：10.4mm
Width：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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10+： $2.65491
100+： $2.50463
500+： $2.36286
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