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画像はあくまで参考です。
FQP8N90C
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $1.58896
- 10+： $1.49902
- 100+： $1.41417
- 500+： $1.33412
- 1000+： $1.25861
小計金額 $1.58896
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：171W Tc
- Turn Off Delay Time：70 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.3A Tc
- Series：QFET®
- Published：2013
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：900V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：6.3A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：171W
- Turn On Delay Time：40 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.9 Ω @ 3.15A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2080pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
- Rise Time：110ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：70 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.3A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：900V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：25A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：850 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2000
- 1+： $1.58896
- 10+： $1.49902
- 100+： $1.41417
- 500+： $1.33412
- 1000+： $1.25861
小計金額 $1.58896
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