FDP7N60NZ

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 6.5 A, 1.25 O, TO-220
Date Sheet

在庫數 86000

1+： $1.89870
10+： $1.79123
100+： $1.68984
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小計金額 $1.89870

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time：5 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Number of Pins：3
Weight：1.8g
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：147W Tc
Turn Off Delay Time：40 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tube
Series：UniFET-II™
Published：2010
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：1.25MOhm
Terminal Finish：Tin (Sn)
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：147W
Turn On Delay Time：17.5 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.25 Ω @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 10V
Rise Time：30ns
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：25 ns
Continuous Drain Current (ID)：6.5A
Threshold Voltage：3V
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain to Source Breakdown Voltage：600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：26A
Avalanche Energy Rating (Eas)：275 mJ
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Height：20.4mm
Length：10.67mm
Width：4.83mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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