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FQPF3N80C
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220F ON Semiconductor FQPF3N80C
Date Sheet
在庫數 320000
- 1+： $3.10420
- 10+： $2.92849
- 100+： $2.76273
- 500+： $2.60635
- 1000+： $2.45882
小計金額 $3.10420
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：39W Tc
- Turn Off Delay Time：22.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：800V
- Current Rating：3A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：39W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.8 Ω @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：705pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16.5nC @ 10V
- Rise Time：43.5ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：32 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Height：9.19mm
- Length：10.16mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 320000
- 1+： $3.10420
- 10+： $2.92849
- 100+： $2.76273
- 500+： $2.60635
- 1000+： $2.45882
小計金額 $3.10420
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