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画像はあくまで参考です。
FDPF8N60ZUT
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
Date Sheet
在庫數 86000
- 1+： $0.59462
- 10+： $0.56096
- 100+： $0.52921
- 500+： $0.49925
- 1000+： $0.47099
小計金額 $0.59462
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：34.5W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：34.5W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.35 Ω @ 3.25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1265pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Rise Time：30ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.5A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：26A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：420 mJ
- Height：16.07mm
- Length：10.36mm
- Width：4.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 86000
- 1+： $0.59462
- 10+： $0.56096
- 100+： $0.52921
- 500+： $0.49925
- 1000+： $0.47099
小計金額 $0.59462
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