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STI10N62K3
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Date Sheet
在庫數 335
- 1+： $2.33664
- 10+： $2.20438
- 100+： $2.07960
- 500+： $1.96189
- 1000+： $1.85084
小計金額 $2.33664
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Turn Off Delay Time：41 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STI10N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Turn On Delay Time：14.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：750m Ω @ 4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1250pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：42nC @ 10V
- Rise Time：15ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：620V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：31 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8.4A
- Threshold Voltage：3.75V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.75Ohm
- DS Breakdown Voltage-Min：620V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：220 mJ
- Height：10.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 335
- 1+： $2.33664
- 10+： $2.20438
- 100+： $2.07960
- 500+： $1.96189
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