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画像はあくまで参考です。
FQPF5N90
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F
Date Sheet
在庫數 510
- 1+： $3.36906
- 10+： $3.17836
- 100+： $2.99845
- 500+： $2.82873
- 1000+： $2.66861
小計金額 $3.36906
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：51W Tc
- Turn Off Delay Time：65 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.3Ohm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：900V
- Current Rating：3A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：51W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：28 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.3 Ω @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1550pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Rise Time：65ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：50 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain to Source Breakdown Voltage：900V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：660 mJ
- Height：9.19mm
- Length：10.16mm
- Width：4.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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