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画像はあくまで参考です。
STP8NK80Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 13520
- 1+： $3.49476
- 10+： $3.29695
- 100+： $3.11033
- 500+： $2.93427
- 1000+： $2.76818
小計金額 $3.49476
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：140W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：48 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：800V
- Current Rating：6.2A
- Base Part Number：STP8N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：140W
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 3.1A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1320pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46nC @ 10V
- Rise Time：30ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.2A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：24.8A
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 13520
- 1+： $3.49476
- 10+： $3.29695
- 100+： $3.11033
- 500+： $2.93427
- 1000+： $2.76818
小計金額 $3.49476
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