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画像はあくまで参考です。
FQP6N80
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
Date Sheet
在庫數 263
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：158W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：65 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2000
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Resistance：1.95Ohm
- Voltage - Rated DC：800V
- Current Rating：5.8A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：158W
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.95 Ω @ 2.9A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：31nC @ 10V
- Rise Time：70ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：45 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.8A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Dual Supply Voltage：800V
- Nominal Vgs：5 V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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