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画像はあくまで参考です。
FDA24N50
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
Date Sheet
在庫數 450
- 1+： $7.26687
- 10+： $6.85554
- 100+： $6.46749
- 500+： $6.10140
- 1000+： $5.75604
小計金額 $7.26687
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：2
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：270W Tc
- Turn Off Delay Time：164 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：190MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：270W
- Turn On Delay Time：47 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4150pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：85nC @ 10V
- Rise Time：108ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：86 ns
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：96A
- Height：20.1mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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