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STU2N62K3
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $1.72904
- 10+： $1.63117
- 100+： $1.53884
- 500+： $1.45174
- 1000+： $1.36956
小計金額 $1.72904
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：21 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：3.6Ohm
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Base Part Number：STU2N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：45W
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.6 Ω @ 1.1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：340pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Rise Time：4.4ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.2A
- Threshold Voltage：3.75V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8.8A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：85 mJ
- Height：6.9mm
- Length：6.6mm
- Width：2.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $1.72904
- 10+： $1.63117
- 100+： $1.53884
- 500+： $1.45174
- 1000+： $1.36956
小計金額 $1.72904
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