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STF23NM60ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- STMICROELECTRONICS STF23NM60ND Power MOSFET, N Channel, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 38658
- 1+： $6.35014
- 10+： $5.99070
- 100+： $5.65160
- 500+： $5.33170
- 1000+： $5.02991
小計金額 $6.35014
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Turn Off Delay Time：90 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：FDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STF23
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：35W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：21 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：180m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2050pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：70nC @ 10V
- Rise Time：45ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：40 ns
- Continuous Drain Current (ID)：19.5A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：78A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：700 mJ
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 38658
- 1+： $6.35014
- 10+： $5.99070
- 100+： $5.65160
- 500+： $5.33170
- 1000+： $5.02991
小計金額 $6.35014
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