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STF25NM60ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- STMICROELECTRONICS STF25NM60ND Power MOSFET, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 12
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：FDmesh™ II
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STF25
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：40W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：60 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 10.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2400pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80nC @ 10V
- Rise Time：30ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：40 ns
- Continuous Drain Current (ID)：21A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：84A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：850 mJ
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 12
小計金額 $0.00000
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