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画像はあくまで参考です。
STP19NM50N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
Date Sheet
在庫數 60
- 1+： $4.57720
- 10+： $4.31812
- 100+： $4.07370
- 500+： $3.84311
- 1000+： $3.62557
小計金額 $4.57720
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Package / Case：TO-220-3
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：61 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：250mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STP19N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：250m Ω @ 7A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1000pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 10V
- Rise Time：16ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：17 ns
- Continuous Drain Current (ID)：14A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：56A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：208 mJ
- Height：15.75mm
- Width：4.6mm
- Length：10.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 60
- 1+： $4.57720
- 10+： $4.31812
- 100+： $4.07370
- 500+： $3.84311
- 1000+： $3.62557
小計金額 $4.57720
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