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STP18NM60N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
在庫數 250
- 1+： $2.73132
- 10+： $2.57671
- 100+： $2.43086
- 500+： $2.29327
- 1000+： $2.16346
小計金額 $2.73132
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Series：MDmesh™ II
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：285mOhm
- Base Part Number：STP18N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：285m Ω @ 6.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1000pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Rise Time：15ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52A
- Width：4.6mm
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 250
- 1+： $2.73132
- 10+： $2.57671
- 100+： $2.43086
- 500+： $2.29327
- 1000+： $2.16346
小計金額 $2.73132
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