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FQD10N20LTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
Date Sheet
在庫數 32365
- 1+： $2.71368
- 10+： $2.56007
- 100+： $2.41516
- 500+： $2.27846
- 1000+： $2.14949
小計金額 $2.71368
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 51W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：380MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：200V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：7.6A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：360m Ω @ 3.8A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：830pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 5V
- Rise Time：150ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：95 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.6A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 32365
- 1+： $2.71368
- 10+： $2.56007
- 100+： $2.41516
- 500+： $2.27846
- 1000+： $2.14949
小計金額 $2.71368
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