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画像はあくまで参考です。
FDD10N20LZTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET 200V N-Channel MOSFET, UniFET
Date Sheet
在庫數 23893
- 1+： $0.34346
- 10+： $0.32402
- 100+： $0.30568
- 500+： $0.28837
- 1000+： $0.27205
小計金額 $0.34346
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：11 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：83W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：UniFET™
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：56W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：360m Ω @ 3.8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：585pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16nC @ 10V
- Rise Time：15ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.6A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 23893
- 1+： $0.34346
- 10+： $0.32402
- 100+： $0.30568
- 500+： $0.28837
- 1000+： $0.27205
小計金額 $0.34346
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