FDS3672

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
Date Sheet

在庫數 9363

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10+： $1.80726
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小計金額 $1.91569

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins：8
Weight：130mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
Turn Off Delay Time：37 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：PowerTrench®
Published：2003
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：8
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：19MOhm
Terminal Finish：Tin (Sn)
Voltage - Rated DC：100V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Current Rating：7.5A
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：2.5W
Turn On Delay Time：14 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：23m Ω @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2015pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37nC @ 10V
Rise Time：20ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：27 ns
Continuous Drain Current (ID)：7.5A
Threshold Voltage：4V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：100V
Dual Supply Voltage：100V
Nominal Vgs：4 V
Height：1.5mm
Length：5mm
Width：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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