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画像はあくまで参考です。
STY60NM50
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
Date Sheet
在庫數 1
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A Tc
- Power Dissipation (Max)：560W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Series：MDmesh™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：50mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：60A
- Base Part Number：STY60N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：560W
- Turn On Delay Time：51 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：50m Ω @ 30A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：7500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：266nC @ 10V
- Rise Time：58ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：46 ns
- Continuous Drain Current (ID)：60A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：240A
- Width：6.35mm
- Length：25.4mm
- Height：6.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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