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画像はあくまで参考です。
FDMC86261P
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerWDFN
- MOSFET PT5 150V/25V PchPower Trench Mosfet
Date Sheet
在庫數 6000
- 1+： $2.58556
- 10+： $2.43921
- 100+： $2.30114
- 500+： $2.17089
- 1000+： $2.04800
小計金額 $2.58556
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Contact Plating：Gold
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerWDFN
- Number of Pins：8
- Weight：165.33333mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：18 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.7A Ta 9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.3W Ta 40W Tc
- Published：2017
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：5
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- JESD-30 Code：S-PDSO-N5
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.3W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 2.4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1360pF @ 75V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：24nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：150V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.7A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-150V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- Width：3.3mm
- Height：725μm
- Length：3.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 6000
- 1+： $2.58556
- 10+： $2.43921
- 100+： $2.30114
- 500+： $2.17089
- 1000+： $2.04800
小計金額 $2.58556
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