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画像はあくまで参考です。
FQB8N60CTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Date Sheet
在庫數 8965
- 1+： $1.00670
- 10+： $0.94972
- 100+： $0.89596
- 500+： $0.84525
- 1000+： $0.79740
小計金額 $1.00670
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.13W Ta 147W Tc
- Turn Off Delay Time：81 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：600V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：8A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.13W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：16.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 3.75A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1255pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V
- Rise Time：60.5ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：64.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 8965
- 1+： $1.00670
- 10+： $0.94972
- 100+： $0.89596
- 500+： $0.84525
- 1000+： $0.79740
小計金額 $1.00670
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