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画像はあくまで参考です。
SI3443DV
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO
Date Sheet
在庫數 23040
- 1+： $0.14867
- 10+： $0.14026
- 100+： $0.13232
- 500+： $0.12483
- 1000+： $0.11776
小計金額 $0.14867
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.6W
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：65m Ω @ 4A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：640pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 4.5V
- Rise Time：19ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：19 ns
- Continuous Drain Current (ID)：-4A
- Threshold Voltage：-700mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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